San Jose merkezli NEO Semiconductor, DRAM alanındaki mevcut sonları zorlayacak yeni jenerasyon bellek hücrelerini tanıttı. Şirketin duyurduğu yeni 3D X-DRAM hücre dizaynları olan 1T1C (bir transistör, bir kapasitör) ve 3T0C (üç transistör, sıfır kapasitör), klâsik DRAM modüllerine kıyasla 10 kat daha yüksek kapasite sunmayı vadediyor. Firma bu bellekleri yaklaşık iki yıl evvel duyurmuştu. Yüksek kapasite, yüksek sürat ve yüksek verim
NEO Semiconductor’ın simülasyon datalarına nazaran yeni jenerasyon hücreler, tek bir modülde 512 Gb yani 64 GB kapasiteye ulaşabiliyor. Bu, piyasada yaygın olarak kullanılan DRAM tahlillerinin çok üzerinde bir bedel. Ayrıyeten, 10 nanosaniye okuma/yazma suratı ve 9 dakikayı aşan bilgi tutma müddetiyle performans konusunda da epey argümanlı.
Yeni dizaynlar, ekran teknolojilerinde sıkça karşılaşılan bir kristal yapı olan indiyum galyum çinko oksit (IGZO) tabanlı. Bu gereç sayesinde hücreler, 3D NAND flash belleklerdeki üzere üst üste yığılabilir bir mimaride üretilebiliyor. Bu yaklaşım hem kapasiteyi artırıyor hem de güç verimliliğini koruyor. NEO, bu tasarımı mevcut 3D NAND üretim altyapısına adapte ederek, büyük sermaye yatırımı olmadan üretime geçilebileceğini belirtiyor. Yeni 3D X-DRAM dizaynları, bu ay düzenlenecek olan IEEE IMWetkinliğinde daha kapsamlı halde tanıtılacak. Lakin bölümde sırf NEO yok. FeRAM tabanlı DRAM+ üzere alternatif teknolojiler de yarışa dahil olurken, SK hynix üzere esaslı üreticiler klasik DRAM’in sonlarını genişletmeye devam ediyor. Yeniden de 512 Gb’lik modüller, dikkatleri NEO Semiconductor’ın üzerine çekiyor.
Gözler artık NEO’nun 2026 yılında üretilecek olan test yongalarında. Şirketin yol haritasına nazaran 3D X-DRAM ile 2030 yılına kadar 1Tb (1 terabit) entegre devrelere ulaşılacak. 1Tb entegre devreler, tek bir RAM’de rahatlıkla 2 TB kapasiteleri mümkün kılıyor.